7、基金项目：在正文首页下方，按照国家有关部门规定的正式名称写明基金项目，并在圆括号内注明其项目编号。多项基金项目应依次列出，其间用分号隔开。

8、联系作者：在正文首页下方，给出第一作者或联系人的E-mail，如第一作者为研究生，宜将导师作为联系人。

9、插图与表格：应安排在文中的相应位置，图表均应清晰可辨。图题、表题需中、英文对照，图、表内的中文词均改为英文，插图希控制在10幅以内。

10、参考文献：按文中引用次序排列（引用处应加上角码（[  ]），按GB/T7714-2005著录，顺序为：

a.期刊：作者.篇名（文题）[J].期刊名称，出版年；卷号（期号）：起止页

b.专著：作者.书名[M].出版地：出版者，出版年；起止页

c.会议录、论文集：作者.文题 [C].文集编者. 会议录或论文集名，出版地：

 出版者，出版年；起止页

d.学位论文：作者.文题 [D]. 学位授予单位，编号或缩微制品序号，年份

文献中作者项：姓在前、名在后，去缩写点；3人以下应全列出，4人以上则只列出3人后再加上“等”（et al.）。

示例：

[1]韩军，柴长春，杨银堂，等. 存在界面陷阱的n沟6H-SiC MOSFET 温度特性研究[J]. 固体电子学研究与进展， 2004, 24(3): 275-280.

[2] Wang Sanwu , Dhar S , Wang Shurui, et al. Bonding at the SiC-SiO2 Interface and Effects of Nitrogen and Hydrogen[J]. Physics Review Letters, 2007, 98 (026101): 1-4.

[3] Afanas＇ev  V V, Bassler M, Pensl G, et al. Intrinsic SiO2/SiC interface states[J]. Physica Status Solidi(a), 1997, 162: 321-337.

[4]Guillermo Gonzalez.微波晶体管放大器分析与设计[M].清华大学出版社，2003：338-361.

[5] Tosic N，Pesic B，Stojaclinovic N， Reliability testing of  power VDMOS transistors [C].Proc 21st  International Conference on Microelectronics，1997：667-670.

 11、作者简介：文稿最后应有作者简介及电子版照片（限3位），内容包括：姓名、性别、出生年月、职称或职务、学历、现从事何种研究。

12、文稿中使用的名词术语、符号、计量单位要前后一致，符合国家有关标准（SI单位）。文中专业符号、大小写、英文与希腊文和正、斜体都要标写清楚，用作上下角的字母、数码和符号，其高低层次分明。 

13、来稿不得涉及国家机密，涉及者应有单位证明。来稿请写明详细地址（邮政编码）及联系人和电话号码，有电子邮件信箱的也请留下信箱地址。来稿切勿一稿多投。来稿无论录用与否，本刊均会通知作者。

14、为适应我国信息化建设，扩大本刊及作者知识信息交流渠道，本刊已被《中国学术期刊网络出版总库》及CKNI系列数据库收录，其作者文章著作权使用费与本刊稿酬一次性给付。免费提供作者文章引用统计分析资料。如作者不同意文章被收录，请在来稿时向本刊说明，本刊将作适当处理。